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＜プレスリリース＞GaN系垂直共振器型面発光レーザーの特性を左右する 「共振器チューニング」を解明 Applied Physics Lettersの注目論文に選定（理工学部・竹内哲也）
- 公開日時：2026.05.13
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GaN系垂直共振器型面発光レーザー（VCSEL）は、可視光領域における高効率・小型光源として注目されており、次世代ディスプレイ、センシング、光通信など幅広い応用が期待されています。
名城大学 理工学部 化学・物質学科 材料機能工学専攻の竹内哲也教授、上山智教授、岩谷素顕教授の研究グループは、GaN系VCSELにおいて、従来重要とされてきた利得ピーク波長制御（デチューニング）に加え、新たに共振波長制御である「共振器チューニング」がレーザー特性を大きく左右することを明らかにしました。さらに、この共振器チューニングを積極的に活用することで、内部パラメータの抽出と26.4%の高い電力変換効率の達成に成功しました。
本研究成果は、2026年4月30日にAIP「Applied Physics Letters」に掲載され、Featured Article（注目論文）として高く評価されています。
詳細は下記からご覧ください。
＜プレスリリース＞GaN系垂直共振器型面発光レーザーの特性を左右する 「共振器チューニング」を解明 Applied Physics Lettersの注目論文に選定（理工学部・竹内哲也）
https://sangaku.meijo-u.ac.jp/pickup/pickup-24827/
