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＜プレスリリース＞『Applied Physics Expressの「Spotlights 2023」に選出 高出力の深紫外LEDや深紫外半導体レーザーの開発に向けて、加熱・加圧した水を使用して、基板からAlGaN半導体層を剥離する技術とメカニズムを解明』（理工学部・岩谷素顕）
- 公開日時：2023.10.31
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Applied Physics Express の 「Spotlights 2023」に選出
高出力の深紫外 LED や深紫外半導体レーザーの開発に向けて、
加熱・加圧した水を使用して
基板から AlGaN 半導体層を剥離する技術とメカニズムを解明
名城大学理工学部材料機能工学科の岩谷素顕教授、竹内哲也教授、上山智教授、名城大学理工学部応用化学科の丸山隆浩教授、三重大学大学院工学研究科の三宅秀人教授の研究グループは、高光出力の深紫外 LED や深紫外半導体レーザーを実現するために不可欠である、縦型 AlGaN 系深紫外半導体レーザーの開発に成功。さらに、半導体プロセスに導入しやすい加熱・加圧した水で基板剥離する技術を開発し、その基板剥離メカニズムも解明しました。
本研究成果は、2023 年 10 月 11 日に応用物理学会の国際論文誌「Applied Physics Express」に掲載されるとともに、同誌の“Spotlights 2023”に選出されました。Spotlights は、応用物理学コミュニティの興味を引く可能性の高い論文を特別に紹介するもので、例年、20数件の論文が選出されています。なお、Applied Physics Express に受理される論文数は、毎年 350 件前後です。
【本件のポイント】
・AlGaN 半導体の半導体プロセスに導入しやすい加熱・加圧した水で基板剥離する技術を開発
・基板剥離メカニズムを解明
・本剥離技術はウェハーサイズの縦型デバイスプロセスが可能なため、高出力な深紫外 LED や深紫外半導体レーザーの実現につながることに期待
プレスリリース本文はこちら（2023/11/13修正）
https://www.meijo-u.ac.jp/news/asset/37bf860cf0af130e76083a00d6ea7a67.pdf
