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＜プレスリリース＞【EurekAlert!掲載】「高出力を可能にする縦型 AlGaN 系深紫外（UV-B）半導体レーザーを世界で初めて開発」（理工学部・岩谷素顕）
- 公開日時：2023.10.23
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2023年10月17日の本学プレスリリース「高出力を可能にする縦型 AlGaN 系深紫外（UV-B）半導体レーザーを世界で初めて開発」をEurekAlert!に掲載しました。
Realizing Vertical Ultraviolet-B Semiconductor Laser Diodes For High Optical Output
Recent advancements in fabrication technology have enabled the development of lateral AlGaN-based ultraviolet (UV)-light-emitting devices. However, they suffer from low light output power. Now, researchers from Japan have utilized laser lift-off method to fabricate vertical AlGaN-based UV-B laser diodes. These devices show a sharp emission at 298.1 nm, strong transverse-electric polarization characteristic, and a well-defined threshold current. They are expected to have numerous applications, such as UV curing processes, UV laser processing, laser metal processing and other laser processing, and biotechnology.
https://www.eurekalert.org/news-releases/1005358
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プレスリリースの詳細はこちら
＜プレスリリース＞「高出力を可能にする縦型 AlGaN 系深紫外（UV-B）半導体レーザーを世界で初めて開発」
https://sangaku.meijo-u.ac.jp/post-19386/
プレスリリース本文はこちら（2023/11/13修正）
https://www.meijo-u.ac.jp/news/asset/4b65eb9caeae0a149e16db8cff9d0da1.pdf
