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- ＜プレスリリース＞世界初：安価なサファイア基板上でAlGaNによる UV-B半導体レーザーの室温連続発振を達成、Applied Physics Lettersの注目論文に選定（理工学部・岩谷 素顕）
＜プレスリリース＞世界初：安価なサファイア基板上でAlGaNによる UV-B半導体レーザーの室温連続発振を達成、Applied Physics Lettersの注目論文に選定（理工学部・岩谷 素顕）
- 公開日時：2026.01.13
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名城大学理工学部材料機能工学科の岩谷素顕教授、竹内哲也教授、上山智教授、三重大学大学院工学研究科の三宅秀人教授、ウシオ電機株式会社、および株式会社日本製鋼所の研究グループは、深紫外（UV-B：280〜320 nm）領域の半導体レーザーにおいて、世界で初めて、安価なサファイア基板を用いて医療に最適な300～320 nm帯域での室温連続発振（CW）を実証しました。基板には低コストで量産性に優れるサファイア基板を使用しており、医療機器・産業用途への普及を大きく前進させる画期的成果です。
本研究成果は、2026年1月12 日にAIP「Applied Physics Letters」に掲載され、Featured Article（注目論文）として高く評価されています。
【本件のポイント】
・安価で大量生産に適したサファイア基板上での深紫外（UV-B）半導体レーザーを開発
・318 nm波長にて室温連続発振（CW）に成功、医療応用波長域での大きな進展
・従来課題だった格子歪みと熱問題を「高品質AlGaN結晶の実現」「リッジ導波路」「分布ブラッグ反射（DBR）ミラー」「高熱放散実装」の実現により克服
・しきい値電流密度4.3 kA/cm²と安定した発振を達成
・低価格化 × 小型化 × 高信頼性が同時に期待できる製造プロセスを開発
・皮膚疾患治療、血管形成、高精度フォトプロセス分野に展開が可能
掲載論文
【掲載誌】Applied Physics Letters
【論文タイトル】
Room-temperature continuous-wave lasing at 318 nm on a relaxed AlGaN template grown on a sapphire substrate
【著者】Rintaro Miyake, Takumu Saito, Shogo Karino, Yusuke Sasaki, Shundai Maruyama, Shion Kamiya, Ryota Watanabe, Seiya Kato, Naoki Kitta, Yuma Miyamoto, Rintaro Kobayashi, Kenta Kitagawa, Tomoya Tanikawa, Sho Iwayama, Hideto Miyake, Koichi Naniwae, Yoshito Jin, Masamitsu Toramaru, Tatsuya Matsumoto, Yoshihiro Shimazaki, Hironori Torii5, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Motoaki Iwaya*
【掲載日】2026年1月12日
【DOI】10.1063/5.0307059
【URL】https://doi.org/10.1063/5.0307059
プレスリリース本文はこちら
https://www.meijo-u.ac.jp/news/asset/a20f724d860a3257622b43ca89e2cc3a.pdf
