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＜プレスリリース＞AlGaN 系 UV-B 半導体レーザー高効率化の鍵を解明 ― 内部光損失を最小化する新たな設計指針で 世界最高レベルの電力・光エネルギー変換効率 5.5％を達成 ― Applied Physics Letters の注目論文にも選定（理工学部・岩谷 素顕）
- 公開日時：2026.08.07
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名城大学理工学部 化学・物質学科の岩谷素顕教授、竹内哲也教授、上山智教授、三重大学大学院工学研究科の三宅秀人教授らの研究グループは、AlGaN 系 UV-B１）半導体レーザーの電力・光エネルギー変換効率（Wall-Plug Efficiency: WPE）を制限する主な要因が、これまで重視されてきた光閉じ込めではなく、内部光損失であることを世界で初めて実験的に明らかにしました。
本研究成果は、2026 年 8 月 5 日に AIP「Applied Physics Letters」に掲載され、高効率深紫外半導体レーザーの実用化を大きく前進させる成果として評価され、Scilight（Science highlight）と Featured Article（注目論文）に選出されました。
＜プレスリリース＞AlGaN 系 UV-B 半導体レーザー高効率化の鍵を解明 ― 内部光損失を最小化する新たな設計指針で 世界最高レベルの電力・光エネルギー変換効率 5.5％を達成 ― Applied Physics Letters の注目論文にも選定（理工学部・岩谷 素顕）
https://sangaku.meijo-u.ac.jp/pickup/pickup-25175/
