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＜プレスリリース＞高出力を可能にする縦型 AlGaN 系深紫外（UV-B）半導体レーザーを世界で初めて開発（理工学部・岩谷素顕）
- 公開日時：2023.10.18
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高出力を可能にする縦型 AlGaN 系深紫外（UV-B）半導体レーザーを世界で初めて開発
名城大学理工学部材料機能工学科の岩谷素顕教授、竹内哲也教授、上山智教授、三重大学大学院工学研究科の三宅秀人教授、ウシオ電機株式会社、および西進商事株式会社の研究グループは、高光出力深紫外半導体レーザー実現に必要不可欠である縦型 AlGaN 系深紫外（UV-B）半導体レーザーを開発しました。本研究成果は、2023 年 10 月 16 日に応用物理学会の国際論文誌「Applied Physics Express」（https://doi.org/10.35848/1882-0786/ad03ac）に掲載されました。
【本件のポイント】
・高光出力化に不可欠な縦型 AlGaN 系深紫外（UV-B）半導体レーザーの開発に成功
・AlGaN 系紫外半導体レーザーは高品質結晶を得るために絶縁性の基板上に結晶成長で作製される。縦型 AlGaN 系深紫外半導体レーザーの実現に必要な絶縁性基板剥離技術、デバイスプロセス技術、光共振器形成技術の開発に成功
・作製した縦型 AlGaN 系深紫外半導体レーザーは、極めて鋭い発光スペクトル(光の波長が揃っている)、TE偏光特性（光の位相が揃っている）、スポット状の発光パターン（コヒーレントな光の特長である）、そしてしきい値電流の確認の特性を示すなど、レーザー特有の特性を示した。作製したレーザーの発振波長は UV-B 領域に相当する 298.1 nm
・バイオテクノロジー、皮膚病治療などの医療用途や UV 硬化プロセス、レーザー加工など工業分野への応用に期待
プレスリリース本文はこちら（2023/11/13修正）
https://www.meijo-u.ac.jp/news/asset/4b65eb9caeae0a149e16db8cff9d0da1.pdf
EurekAlert!掲載
英文プレスリリースをEurekAlert!に掲載しました。
Realizing Vertical Ultraviolet-B Semiconductor Laser Diodes For High Optical Output
Recent advancements in fabrication technology have enabled the development of lateral AlGaN-based ultraviolet (UV)-light-emitting devices. However, they suffer from low light output power. Now, researchers from Japan have utilized laser lift-off method to fabricate vertical AlGaN-based UV-B laser diodes. These devices show a sharp emission at 298.1 nm, strong transverse-electric polarization characteristic, and a well-defined threshold current. They are expected to have numerous applications, such as UV curing processes, UV laser processing, laser metal processing and other laser processing, and biotechnology.
https://www.eurekalert.org/news-releases/1005358
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