3. 最近の研究内容・成果および課題スは良い結晶から」を本研究センターの方針として掲げ、11、14 号館（図 1）に設置された半導体エピタキシャル成長装置（図 2）などを活用して高品質結晶を実現、様々な新規半導体光デバイスの実証へと繋げることである。したがって、本センターが目指すべき成果は、以下の二点である。1） 世界初、世界最高性能光デバイスの実証2） 高性能光デバイス実証に必須となる高品質窒化物半導体結晶や要素構造の確立次に、最近の研究内容・成果および課題に関して、簡単に紹介する。光デバイスには大きく分けて、自然放出による LEDと誘導放出によるレーザーダイオードの二種類がある。それを用いて、前述したセンターメンバーが現在目指している光デバイスを分類すると図 3 のようになる。多岐にわたる新規光デバイスの実証に向けた研究開発を遂行しており、いずれも、世界初、世界最高性能光デバイスを目指し、その方向性として、「高効率・高出力」「波長域拡大」そして「3 次元集積」を意識している。次に、直近 3 年間（2022 ～ 2024 年）の成果を述べる。成果指標としては、以下の通りである。・投稿論文：49 件・招待講演：52 件・特許出願：63 件・一般講演：170 件・プレスリリース：5 件・表彰：18 件上記成果指標には、世界初、世界最高性能光デバイスの実証結果が複数含まれており、その一例を紹介する。図 3 の右下、青紫面発光レーザーでは、2024 年 4月に世界最高効率（そのプレスリリース時 21％、現時点で 28％まで更新中）を達成した。これは前述の目指すべき成果の 1）に相当する。そして、これを実現可能にしたのが、2）に相当する要素構造の確立である。具体的には、図 2 の装置に成長中のウエハ表面の反射スペクトルをその場で測定可能な装置を設置し、その反射スペクトルを測定、解析することで、従来よりも一桁高い精度（± 0.2％）で層厚制御することが可能になり、これが世界最高効率実証に繋がった。このように、二つの目的を相互に推し進めることで、効果的に成果を上げている。最後に、本研究センターの課題を述べ、次の 10 年に向けた抱負を述べて本稿のまとめとしたい。本研究センターの課題は以下の三点と考えている。「施設・装置の老朽化と集約化」「増加しない博士課程学生・ポスドク数」、そして「新規光デバイスの社会実装の遅延」である。老朽化による修理費に関しては、本センターに配分される予算を有効活用させていただている一方、次の 10 年に向けて、継続的な大型プロジェクト獲得による施設の集約化・装置の刷新の必要性を認識している。博士課程に関しては、企業にその必要性をヒアリングした結果、予想を超えた需要があることが判明しており、大学主体による博士進学を後押しする仕組みも期待したい。一方、ポスドクに関しては、採用における年齢制限の撤廃など、ポスドク採用条件の緩和も検討していただきたい状況である。最後の社会実装の遅延は、より大きな課題である。共同研究が進んでも、企業が事業化に踏み切れないケースが増えている。デバイスは実証されても、応用・ビジネスとして実証されていない、である。この状況は、大学側が応用・ビジネスとしての実証にも乗り出す必要性を示唆しており、我々もスタートアップなどによる活動を真剣に考える必要がありそうである。このように課題は多いものの、つまるところ、学生が苦心して研究成果を上げながら、同時に研究者として一人前になっていく過程、いわゆる研究と教育の両輪に関われることは、我々としてこの上ない喜びである。このための実践の場のさらなる拡大に向けて、次の 10 年も着実かつ大きな歩みを進める所存である。3430thAnniversary図 3 現在の研究内容
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